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エルピーダ 半導体 年内70ナノ生産3倍に コスト競争力強化
裾直し
 半導体メモリー専業大手のエルピーダメモリは24日、パソコンなどに使われるDRAM(記憶保持動作が必要な随時書き込み読み出しメモリー)の製造で、回路線幅70ナノ(1ナノは10億分の1)メートルの最先端製造設備による生産を年内に当初計画の3倍に拡大する方針を明らかにした。

 基幹生産子会社の広島エルピーダメモリ(広島県東広島市)で、今年12月に予定していた月産2万枚(300ミリウエハー換算)を同6万枚に引き上げる。

 従来の主力である回路線幅90ナノメートルの設備から、より生産効率の高い最先端設備へ生産体制の切り替えを早めることでコスト競争力を一層高める狙い。
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ウエハー当たりの生産個数は、90ナノ設備から70ナノへの転換により単純計算で約6割増え、生産コストを低減できる。

 これにより、薄型テレビやデジタルカメラなど需要が堅調な新規分野のデジタルAV(音響・映像)向け製品の生産体制を90ナノから早期に70ナノに転換。コスト削減で収益性を維持しながらシェア拡大を図る戦略で、来年3月には生産規模をさらに6万5000枚に増やす。

 エルピーダは、NECと日立製作所のDRAM(記憶保持動作が必要な随時書き込み読み出しメモリー)事業を統合し1999年に発足。当初はコスト競争力の低下で、市場シェアの縮小と赤字に苦しんでいたが、投資効率の改善で最近は競争力が回復している...

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(引用 yahooニュース:http://headlines.yahoo.co.jp/hl?a=20070425-00000010-fsi-ind)






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